RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
80
Около 36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
14.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.4
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
80
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.1
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1564
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
V-GEN D4H8GL36A8TXV 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6JJR8N
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3300C16-4GRKD 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTZRB 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology M471A1K43CB1-CTD 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link