RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
11.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3001
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.DFW0C 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston MSI32D4S2S1ME-8 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Kingston 9905744-076.A00G 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston KHX2666C16D4/4G 4GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link