RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
70
Около 27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
15.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
70
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1923
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905711-035.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FBD1 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.40C0B 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKW 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.M16FD 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
InnoDisk Corporation M4UI-AGS1KC0K-C 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston XRMWRN-MIE2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link