RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
13.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2971
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KCIA------ 8GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZSW 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMW16GX4M2A2666C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C16 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3000D 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FJ 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link