RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
51
Около -42% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.0
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
36
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.0
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2946
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FHP 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G24002 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GVK 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G3B2 64GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVKD 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung 9905599-020.A00G 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZR 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Avant Technology W642GU44J2320NC 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston 99U5743-031.A00G 16GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Apacer Technology 78.CAGR9.40C0B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link