RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.1
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
20.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3878
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZR 32GB
Shenzen Recadata Storage Technology 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology 78.CAGMR.40C0B 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD2 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-D8KFGA------ 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-027.A00G 8GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRKD 4GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link