RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
51
Около -76% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.7
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
29
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3676
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9905734-063.A00G 32GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Mushkin 991586 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GVR 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3600A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905701-003.A00G 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZKK 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZKO 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link