RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.9
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
18.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
4053
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Panram International Corporation D4U2666P-8G 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMV16GX4M1A2400C16 16GB
SK Hynix HMT42GR7BFR4A-PB 16GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston KHX3200C20S4/32GX 32GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M8FB1 16GB
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FE 8GB
Samsung M471B5173BH0-YK0 4GB
Crucial Technology CT25664BF160BJ.M4F 2GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXW 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZKW 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link