RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.4
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.4
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
17.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3809
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
G Skill Intl F4-5066C20-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Crucial Technology CB8GU2400.C8D 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FF 4GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Mushkin 99[2/7/4]202F 4GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO480E82-3200E 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link