RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2486
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CB16GU2666.C8ET 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FHP 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A2G43BB3-CWE 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Kingston 9965516-477.A00G 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
A-DATA Technology AO2P24HCST2-BW8S 16GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 16ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CRC 8GB
Elpida EBJ41UF8BDW0-GN-F 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Kingston 9905678-024.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-008.A00G 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Samsung M471A2K43EB1-CWE 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZSWE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link