RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
15.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2486
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO102408-2400 8GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Lexar Co Limited LD4BU008G-H3200ULH 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U1636181DC 16GB
Kingston 99U5428-101.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.CAGMT.40C0B 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRGC 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16S/4G 4GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 16G2666CL19 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GR7AFR4N-UH 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMG32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Maxsun MSD44G24Q0 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston 9905700-047.A00G 16GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Kllisre M471A3243BB0-CP50 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link