RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2323
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Hewlett-Packard 7EH67AA# 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9905744-077.A00G 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Kingston KMKYF9-HYA 8GB
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZNC 16GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston K6VDX7-HYD 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link