RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
27
51
Около -89% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
27
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
13.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2323
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.BAGSR.4030B 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-32GTZN 32GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GTRSB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C8FB 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Smart Modular SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avant Technology J641GU42J9266ND 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4WL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD16GX4M2A2400C14 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link