RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Porównaj
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
19200
Wokół strony 1.33% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
51
Wokół strony -89% niższe opóźnienia
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
51
27
Prędkość odczytu, GB/s
15.6
13.8
Prędkość zapisu, GB/s
11.8
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
19200
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2687
2323
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N-UH 8GB Porównanie pamięci RAM
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Samsung M391A1K43BB2-CTD 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.D2GFH.4030B 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCRG 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZN 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905701-018.A00G 16GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800E1 2GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U0840180BRPDE 8
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston CBD26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Corsair CMK16GX4M2C3200C16 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link