RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
7.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
6.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около -24% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
41
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
7.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
6.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
1512
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB Сравнения RAM
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905711-038.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FJ 8GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMD32GX4M4C3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905678-105.A00G 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Essencore Limited IM48GU88A30-FGGHMZ 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link