RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3084
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Ramaxel Technology RMSA3300MH78HBF-2666 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GFX 8GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393A2G40DBD-CP1???? 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3200C16 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLH23F-18KIIP------ 16GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Samsung M393A1G40DB0-B`B 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link