RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
51
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.3
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
31
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
16.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3084
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Kingston ACR16D3LS1KNG/4G 4GB
Corsair CM4X4GF2133C13K4 4GB
Corsair CMSO4GX3M1A1600C11 4GB
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3466C18 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HP32D4U2S8MR-8 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology GD2.1527WC.001 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905701-010.A00G 16GB
Smart Modular SH5641G8FJ8NWRNSQG 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-4GRKD 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF51264HZ-2G1B1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link