RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
11.8
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
19200
Около 1.33% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
51
Около -59% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
32
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.6
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
19200
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2900
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston K531R8-MIN 4GB
Corsair CMK32GX4M2Z2400C16 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAD1 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMK8GX4M2B4133C19 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Super Talent F24EA8GS 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE1 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905624-016.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link