RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
51
53
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
10.4
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
53
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
10.4
Скорость записи, Гб/сек
11.8
8.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2285
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZKW 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Micron Technology V-GeN D4V16GL24A8R 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
JUHOR JHD2666U1916JG 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9965662-004.A00G 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Avant Technology J644GU44J2320NF 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link