RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сравнить
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB против Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
-->
Средняя оценка
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
42
Около -40% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.5
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
7.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
42
30
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.5
Скорость записи, Гб/сек
7.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2181
3506
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Micron Technology 16ATF4G64AZ-3G2B1 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston CBD24D4S7S8MB-8 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3600C18A 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GVK 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRX 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260MH78HAF-2666 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M393A4K40CB2-CTD 32GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link