RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сравнить
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB против Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Средняя оценка
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
70
Около 49% меньшая задержка
Выше скорость записи
10.3
7.9
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.7
15
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
36
70
Скорость чтения, Гб/сек
15.0
15.7
Скорость записи, Гб/сек
10.3
7.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
21300
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2569
1934
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19081C 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-4400C19A 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston X300KG-HYA 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology BL32G36C16U4B.M16FB1 32GB
Crucial Technology CT8G4SFS832A.C8FE 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
DSL Memory D4SS1G082SH21A-B 16GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link