RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
51
Около -46% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
35
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
15.8
Скорость записи, Гб/сек
11.8
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2927
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD R5316G1609U2K 8GB
InnoDisk Corporation M4S0-4GSSNCSJ 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston KF3600C18D4/16GX 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Corsair CMK64GX4M8Z2933C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX GOC 2016 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link