RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
10.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
51
Около -31% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
39
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.3
Скорость записи, Гб/сек
11.8
10.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
21300
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2159
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GIS 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FBR 16GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Golden Empire CL16-20-20 D4-3200 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Apacer Technology 78.CAGPP.ARC0B 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-UH 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C22-16GRS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3000C15 8GB
Corsair CMK16GX4M2D3600C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston 9905678-102.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link