RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
51
Около -113% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
24
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.2
Скорость записи, Гб/сек
11.8
7.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2124
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZB 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA82GS6AFRFR-UH 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Ramaxel Technology RMUA5110KE68H9F-2400 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link