RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
14.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
51
Около -96% меньшая задержка
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
26
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
14.5
Скорость записи, Гб/сек
11.8
9.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
2544
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Transcend Information TS1GLH64V1H 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332S 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30BET4K.C8FD 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GISB 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX2133C13S4/16G 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston MSISID4S9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link