RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB против V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Средняя оценка
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
25600
17000
Около 1.51% выше полоса пропускания
Причины выбрать
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
51
Около -183% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.7
15.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
51
18
Скорость чтения, Гб/сек
15.6
19.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
25600
17000
Other
Описание
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2687
3597
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KSRGB15 8GB Сравнения RAM
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266681 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FN 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZSW 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BL8G26C16S4B.8FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link