RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сравнить
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
-->
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
24
25
Около 4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
15.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
12.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
24
25
Скорость чтения, Гб/сек
16.0
15.9
Скорость записи, Гб/сек
12.5
12.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
19200
17000
Other
Описание
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Тайминги / частота
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2925
3023
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Сравнения RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Сравнения RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBD 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Apacer Technology 75.A73AA.G03 2GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVRB 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL17 8GB 8GB
Kingston 99U5471-025.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO432F82-3200E 32GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link