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Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Compara
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Puntuación global
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Puntuación global
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
24
25
En 4% menor latencia
Mayor velocidad de lectura, GB/s
16
15.9
Valor medio en las pruebas
Mayor velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
En 1.13% mayor ancho de banda
Razones a tener en cuenta
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
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Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
24
25
Velocidad de lectura, GB/s
16.0
15.9
Velocidad de escritura, GB/s
12.5
12.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
19200
17000
Other
Descripción
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Tiempos / Velocidad del reloj
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
2925
3023
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Comparaciones de la memoria RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparaciones
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
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Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHMB 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Apacer Technology 78.CAGNT.AR40B 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905664-010.A00G 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FH 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingston HP26D4U9S8ME-8 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Samsung M378A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
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