RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Confronto
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
25
Intorno 4% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16
15.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.5
12.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
17000
Intorno 1.13% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
24
25
Velocità di lettura, GB/s
16.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.5
12.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
19200
17000
Other
Descrizione
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2925
3023
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB Confronto tra le RAM
Corsair CMK64GX5M2B5200C40 32GB
Samsung M3 93T2950EZ3-CCC 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB Confronto tra le RAM
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Samsung M393B5170EH1-CH9 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C16 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Kingston 9905703-009.A00G 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Corsair CMR64GX4M4K3600C18 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 9905625-004.A03LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FDD2 8GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZSW 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link