RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сравнить
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB против Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Средняя оценка
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
29
Около -4% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
15.8
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.8
11.8
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
28
Скорость чтения, Гб/сек
15.8
17.7
Скорость записи, Гб/сек
11.8
15.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
17000
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2711
3772
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB Сравнения RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A2K43CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FB 16GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2400S464L17S/8G-S1 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMU16GX4M2C3000C15 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9965640-016.A00G 32GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVKA 16GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FB 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3200C16 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C8FBD1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link