RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сравнить
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
-->
Средняя оценка
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Средняя оценка
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
49
63
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
7.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.0
5.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
10600
Около 2.42 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
63
49
Скорость чтения, Гб/сек
7.7
15.8
Скорость записи, Гб/сек
5.0
11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
25600
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1130
2534
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-084.A01LF 2GB
Corsair CM4X8GF2666C16K8 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905713-028.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9965596-002.B00G 4GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link