Mushkin 991679ES 996679ES 2GB против Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

-->

Средняя оценка

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Средняя оценка

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Причины выбрать
Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Сообщить об ошибке

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Причины выбрать
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

49 63

Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения

15.8 7.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

11.0 5.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

25600 10600

Около 2.42 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Mushkin 991679ES 996679ES 2GB

Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

63 49
Скорость чтения, Гб/сек

7.7 15.8
Скорость записи, Гб/сек

5.0 11.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 25600

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 8 9 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1130 2534

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB

модули RAM

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

Corsair CMT32GX4M4C3200C14 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

Kingston HP32D4S2S8ME-16 16GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

Kingston 9905713-028.A00G 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

A-DATA Technology DDR3 1600 4GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB

модули RAM

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB

модули RAM

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

модули RAM

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

Kingston 9965596-002.B00G 4GB

модули RAM

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Kingston 9965516-430.A00G 16GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

Crucial Technology BLS8G4D240FSA.16FBD 8GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

Avant Technology W6451U67J5213NB 4GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA266.C8FD1 8GB

модули RAM

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FRS 16GB

модули RAM