RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB против G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
41
Около -78% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.8
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.2
8.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
23
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
19.8
Скорость записи, Гб/сек
8.2
18.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1982
4128
Nanya Technology M2F4G64CB8HG5N-CG 4GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZKK 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBD 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FD 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMWX8GD3000C15W4 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
King Tiger Technology TMKG8G3000C17(XMP) 8GB
Apacer Technology 76.D105G.D090B 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology BL8G26C16U4W.8FD 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Corsair CMG16GX4M2E3200C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A1K43BB0-CPB 8GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link