RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сравнить
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB против Kingston XK2M26-MIE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Средняя оценка
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
8.1
6.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
39
49
Около -26% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14
10.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
49
39
Скорость чтения, Гб/сек
10.2
14.0
Скорость записи, Гб/сек
8.1
6.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2465
2297
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB Сравнения RAM
Samsung M393B1K70DH0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70DH0-YK0 8GB
Kingston XK2M26-MIE 16GB Сравнения RAM
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Samsung M471A5244BB0-CRC 4GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited ND4U1636181DRLDE 1
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology J642GU42J9266NF 16GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Kingston XRGM6C-MIE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
InnoDisk Corporation M4SI-8GS1NC0K-C 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 8GB 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4X8GF3000C15K4 8GB
‹
›
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link