RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
ru
Русский Русский English English Español Español Português Português Deutsch Deutsch Français Français Italiano Italiano Polski Polski 中文 中文 日本語 日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Сообщить об ошибке
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    26 left arrow 37
    Около 30% меньшая задержка
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Причины выбрать
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Сообщить об ошибке
  • Выше скорость чтения
    16 left arrow 12.3
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    12.6 left arrow 7.1
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    26 left arrow 37
  • Скорость чтения, Гб/сек
    12.3 left arrow 16.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    7.1 left arrow 12.6
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1952 left arrow 2808

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Сравнения RAM

SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB Сравнения RAM

Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
модули RAM
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6D1 8GB
модули RAM
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
модули RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FE 8GB
модули RAM
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
Kingston 9905713-017.A00G 4GB
модули RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
Kingston 99U5700-028.A00G 8GB
модули RAM
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRG 16GB
модули RAM
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
модули RAM
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
модули RAM
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
Corsair CMU16GX4M2C3200C16 8GB
модули RAM
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
Kingston KKN2NM-MIE 4GB
модули RAM
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
модули RAM
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
EVGA 16G-D4-2400-MR 8GB
модули RAM