Porównanie pamięci RAM Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wynik ogólny

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

26 37

Wokół strony 30% niższe opóźnienia

Powody do rozważenia
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

16 12.3

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

12.6 7.1

Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

19200 10600

Wokół strony 1.81 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

1952 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns