RAM-Vergleich Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Gesamtnote

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Gesamtnote

Unterschiede Spezifikationen Kommentare

Gründe für die Berücksichtigung
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns

26 37

Rund um 30% geringere Latenzzeit

Gründe für die Berücksichtigung
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s

16 12.3

Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s

12.6 7.1

Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps

19200 10600

Rund um 1.81 höhere Bandbreite

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB

Wichtigste Merkmale

Other

Beschreibung

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit

7-7-7-20 / 1333 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)

1952 2808

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns