Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB против Kingston 9905625-065.A00G 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Средняя оценка

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

26 40

Около 35% меньшая задержка

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Причины выбрать
Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

13.9 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.8 7.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 10600

Около 1.6 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB

Kingston 9905625-065.A00G 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

26 40
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 13.9
Скорость записи, Гб/сек

7.1 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 17000

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1952 2560

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Samsung M378B5173EB0-CK0 4GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B2 32GB

модули RAM

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB

модули RAM

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-XN 32GB

модули RAM

AMD R538G1601U2S 8GB

AMD R538G1601U2S 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

Samsung M393A1G40EB1-CPB 8GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB

модули RAM

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Kingston 9965516-112.A00LF 16GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4SFRA32A.M4FE 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208-2133AH 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208

модули RAM

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

Kingston 9905403-038.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB

модули RAM

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB

Kingston 9905665-014.A00G 4GB

Kingston 9905665-014.A00G 4GB

модули RAM

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

Kingston KY7N41-MID 8GB

модули RAM

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB

модули RAM

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

G Skill Intl F4-3200C16-4GVRB 4GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

Corsair CM4X8GE2133C13K4 8GB

модули RAM