RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB vs Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Wynik ogólny
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
40
Wokół strony 35% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.9
12.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
7.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
26
40
Prędkość odczytu, GB/s
12.3
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1952
2560
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT125U6DFR8C-H9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Kingston 9905625-065.A00G 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GIS 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Samsung M378A4G43AB2-CVF 32GB
Samsung M378B1G73QH0-YK0 8GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMD32GX4M4B2800C14 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Maxsun MSD48G30M3 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston 99U5713-001.A00G 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Corsair CM2X2048-6400C5 2GB
Shenzhen Chuangshifeida Technology DERLER 16GB2666MHz 1
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation PUD43000C158G2NJK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link