RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сравнить
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB против Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Средняя оценка
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
37
Около -19% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
13.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.2
8.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
31
Скорость чтения, Гб/сек
13.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
8.6
15.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2395
3650
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB Сравнения RAM
SK Hynix HMT41GR7AFR4C-PB 8GB
Kingston 99P5474-050.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000 32GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FD1 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston KHX2933C17S4/8G 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
INTENSO M418039 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Kingston 9965684-013.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.M16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston KHX3200C16D4/8GX 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-4GVK 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Samsung M378A2G43MX3-CTD 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Kingston KHX2400C12D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link