RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
59
92
Около -56% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
6400
Около 4 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
59
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
25600
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2727
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GTRS 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CPB 8GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Transcend Information JM2400HSB-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Mushkin 991586 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G3A3 16GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMSX64GX4M2A2666C18 32GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E8x-2666 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFT 16GB
Kllisre KRE-D3U1600M/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180U 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1B1 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link