RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
92
Около -229% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.4
2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
28
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
21.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3739
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16GN 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Corsair CMK8GX4M1Z3600C18 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMH16GX4M2Z3200C16 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TF 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Dust Leopard DDR4-2400 CL17 8GB 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Kingston KHX2666C16S4/16G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FF 32GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston 9905624-014.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link