RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
92
Около -268% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
25
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2847
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FA 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CM4X16GD3200C16K4E 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMK8GX4M2A2133C13 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHMB 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43BB1-CPB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1B1 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6J1 8GB
Kingston 99U5403-492.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
V-Color Technology Inc. TL48G30S8KGRGB15 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Apacer Technology 78.BAGN8.AZC0B 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXKB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link