Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

2 16.7

Среднее значение в тестах

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

Причины выбрать
G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

31 92

Около -197% меньшая задержка
Выше скорость записи

9.8 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 31
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 16.7
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 9.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2888

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

G Skill Intl F4-2400C17-16GIS 16GB

модули RAM

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

Micron Technology ILG8GS2400A 8GB

модули RAM

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB

модули RAM

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

SK Hynix HMAA2GU6AJR8N-XN 16GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17S/4G 4GB

модули RAM

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB

модули RAM

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Kingston KHX318C10FR/8G 8GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19S/4G 4GB

модули RAM

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

G Skill Intl F4-3600C16-16GTRSC 16GB

модули RAM

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

Lexar Co Limited LD4AS016G-H2666G 16GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2800-MR 4GB

модули RAM