RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
14.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
92
Около -142% меньшая задержка
Выше скорость записи
11.5
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
6400
Около 2.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
38
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
14.4
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
17000
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2856
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRK 4GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GRR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FAD 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Hewlett-Packard 7EH61AA# 8GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4SF32GB2G82G83200 32GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260KC78HAF-2666 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D30CEST.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link