RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.7
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
2728
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Corsair CMSX8GX4M2A2400C16 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KCGA------ 16GB
Kingston 16KTF1G64HZ-1G6E1 8GB
Kingston 9905624-007.A00G 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMAA4GS6AJR8N-VK 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BL32G32C16U4BL.M16FB 32GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Corsair CMK16GX4M4B3000C15 4GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link