RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Sobre o site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Comparar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Pontuação geral
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Pontuação geral
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Relatar um erro
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
2
16.2
Valor médio nos testes
Razões a considerar
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Relatar um erro
Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
26
92
Por volta de -254% menor latência
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.7
1,266.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
6400
Por volta de 3 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR2
DDR4
Latência em PassMark, ns
92
26
Velocidade de leitura, GB/s
2,105.4
16.2
Velocidade de escrita, GB/s
1,266.1
12.7
Largura de banda de memória, mbps
6400
19200
Other
Descrição
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Tempos / Velocidade do relógio
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
339
2728
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Comparações de RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Últimas comparações
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905713-001.A00G 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-036.A00G 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZKY 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTRGB 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Samsung M471A4G43MB1-CTD 32GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2133 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Relatar um erro
×
Bug description
Source link