RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
18.3
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
92
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
14.9
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
18.3
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
14.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3149
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Lenovo 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.M16FE 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology BL16G36C16U4BL.M8FB1 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSB.16FD 16GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3200C14 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Apacer Technology 78.C2GFP.C700B 8GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link