RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Porównaj
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB vs InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Wynik ogólny
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Wynik ogólny
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
92
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.9
1,266.1
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
92
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,105.4
18.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,266.1
14.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
339
3149
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
InnoDisk Corporation M4C0-AGS1TCIK 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Avexir Technologies Corporation T 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E3 4GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Kingmax Semiconductor GLAF62F-D8---------- 4GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXKB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KHX4133C19D4/8GX 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Team Group Inc. Xtreem-LV-2133 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-4500C19-8GTZKKE 8GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link