RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.2
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
92
Около -254% меньшая задержка
Выше скорость записи
15.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
6400
Около 3.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
26
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.2
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
15.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
21300
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
3617
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMSO16GX4M1A2133C15 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CM4X8GF2400Z16K4 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Apacer Technology D12.2344DT.001 4GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology 16G4UD2400.C16BD1 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingmax Semiconductor GLNH23F-18---------- 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C16 4GB
Micron Technology 16JTF1G64AZ-1G6E1 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 4GB 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link