RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
16
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
92
Около -188% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.4
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
32
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
16.0
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
13.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1897
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Samsung V-GeN D4S16GL26A8TL6 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Samsung M471A2G43AB2-CWE 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Kingston 9905402-665.A00LF 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L17/16G 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FE 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FBR 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Corsair CMV8GX4M1L2400C16 8GB
Corsair CMX4GX3M1A1333C9 4GB
Kingston KHX3733C19D4/16GX 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link