Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Средняя оценка

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Сообщить об ошибке

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Причины выбрать
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

57 92

Около -61% меньшая задержка
Выше скорость чтения

9.4 2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

7.6 1,266.1

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

19200 6400

Около 3 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR2 DDR4
Задержка в PassMark, нс

92 57
Скорость чтения, Гб/сек

2,105.4 9.4
Скорость записи, Гб/сек

1,266.1 7.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек

6400 19200

Other

Описание

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота

5-5-5-15 / 800 MHz 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

339 2170

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

SK Hynix HMA81GR7AFR8N-UH 8GB

модули RAM

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

Kingston 9965433-034.A00LF 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GSXFB 16GB

модули RAM

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB

модули RAM

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Kingston SNY1333D3S9ELC/4G 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-DI 4GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB

модули RAM

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

Kingston ACR21D4S15HAG/8G 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

Kingston 9905599-025.A00G 8GB

модули RAM

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Samsung 1600 CL10 Series 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB

Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB

модули RAM

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB

модули RAM

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Transcend Information TS512MSK64W6H 4GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

Crucial Technology BL16G32C16S4B.8FB 16GB

модули RAM

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB

модули RAM

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

Golden Empire CL15-17-17 D4-2666 8GB

модули RAM

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

Kingston 99U5700-014.A00G 8GB

модули RAM