RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сравнить
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB против SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
-->
Средняя оценка
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Средняя оценка
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
2
17.7
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
58
92
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость записи
9.3
1,266.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
6400
Около 3 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR2
DDR4
Задержка в PassMark, нс
92
58
Скорость чтения, Гб/сек
2,105.4
17.7
Скорость записи, Гб/сек
1,266.1
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
6400
19200
Other
Описание
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
339
1968
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP564S64CP6-Y5 512MB
Kingston 9905744-067.A00G 32GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMK16GX4M2C3333C16 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL5 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FJ 8GB
Samsung M393B1K70CHD-CH9 8GB
Samsung M378A2K43BB1-CRC 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Crucial Technology BLS4G4S26BFSD.8FBR2 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Corsair CMW32GX4M2A2666C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Apacer Technology 78.C1GS7.DFW0C 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1A2 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link