Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB против Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

-->

Средняя оценка

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Средняя оценка

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Причины выбрать
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

14.9 9.7

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.5 6.8

Среднее значение в тестах

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Причины выбрать
Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

27 36

Около -33% меньшая задержка
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB

Samsung M474A1G43DB0-CPB 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

36 27
Скорость чтения, Гб/сек

14.9 9.7
Скорость записи, Гб/сек

9.5 6.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

2292 1767

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A-PB 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

V-Color Technology Inc. TL8G36818C-I2PSAAS 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston 9905403-444.A00LF 4GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB

модули RAM

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB

модули RAM

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

Kingston K821PJ-MIB 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB

модули RAM

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Kingston 9905584-016.A00LF 4GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB

модули RAM

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

Kingston KHX2666C15/8G 8GB

модули RAM

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N-VK 8GB

Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6JJR8N

модули RAM

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

Corsair CMK8GX4M1A2666C16 8GB

модули RAM

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

Kingston 9905702-184.A00G 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Kingston 9905403-090.A01LF 4GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200 16GB

Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200

модули RAM

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

Kingston 9905471-002.A00LF 2GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB

модули RAM